在氣泡成核過(guò)程中氣泡核的形成有一個(gè)先后順序，在已形成的氣泡核周圍有一個(gè)氣體耗散區(qū)域，此處氣體濃度低。顯然在氣體耗散區(qū)不可能再形成氣泡核，所以氣體耗散區(qū)存在實(shí)驗(yàn)上降低了熔體中可能的成核點(diǎn)的數(shù)量。在成核過(guò)程中，首先在具有最大當(dāng)量半徑的空穴處生成氣泡核，但是此時(shí)熔體中可能的成核點(diǎn)數(shù)量較小，所以實(shí)際形成的氣泡核數(shù)量少。隨著熔體壓力的繼續(xù)降低，空穴成核臨界半徑R減小。此時(shí)空穴當(dāng)量半徑的核率密度隨當(dāng)量半徑的減小而增大。熔體中的過(guò)飽和氣體分子或者向已生成的氣泡核擴(kuò)散遷移，使泡核長(zhǎng)大，或者生成新的氣泡核，這是一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)過(guò)程。已有的氣泡核長(zhǎng)大使氣泡核周圍的氣體耗散區(qū)增大，熔體中實(shí)際能生成新氣泡核的地方減小。
可以想象，當(dāng)量半徑的核率密度隨R(隨熔體壓力降低而降低)減小而增大的速度越慢，則熔體中可能成核點(diǎn)的數(shù)量增加速度也越慢，也就是氣泡核的生成速率越慢，相應(yīng)的氣泡成核過(guò)程中已有氣泡核的長(zhǎng)大越利害，最終泡沫塑料的泡孔密度就越小，而且泡孔大小不均勻。剪切流場(chǎng)中熔體的平均剪切速率越高則分子鏈取向度越大，熔體中空穴當(dāng)量半徑的均方差越小。微孔泡體不僅要求泡孔直徑≤10m，而且要求泡孔數(shù)量≥109個(gè)/cm3，用傳統(tǒng)成型方法是很難實(shí)現(xiàn)的。本文的研究分析不僅可以從理論上為強(qiáng)化現(xiàn)有成核過(guò)程提供參考，而且還可以為微孔成核提供依據(jù)。
